오세영(석사졸업) 연구원이 1저자로 참여한 (공동 1저자 남재현 ·장혜연 석사졸업)「Low power MoS2/Nb2O5 Memtransistor Device with Highly Reliable Heterosynaptic Plasticity」 논문이  'Advanced Functional Materials' 31권 40호의 표지 논문으로 선정되었습니다. 축하합니다!
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